| 一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究 |
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| 引用本文： | 谢文,刘建国,李平. 一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究[J]. 感光科学与光化学, 2010, 0(1) |
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| 作者姓名： | 谢文 刘建国 李平 |
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| 作者单位： | 华中科技大学化学与化工学院; |
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| 基金项目： | 广东省科技攻关资助项目(2006B11801004) |
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| 摘 要： | 本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为成膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%—20%成膜树脂,4.5%—6%感光剂和70%—80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90℃),感度为30—35mJ/cm~2,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90℃).
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| 关 键 词： | 紫外正型光刻胶 光刻 |
A Novel UV Photoresist Matrix Resin and Its Photolithographic Processes |
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| XIE Wen,LIU Jian-guo,LI Ping. A Novel UV Photoresist Matrix Resin and Its Photolithographic Processes[J]. Photographic Science and Photochemistry, 2010, 0(1) |
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| Authors: | XIE Wen LIU Jian-guo LI Ping |
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| Affiliation: | College of Chemistry & Chemical Engineering;Huazhong University of Science and Technology;Wuhan 430074;Hubei;P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UV positive photoresist photolithography |
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