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| 希夫碱铜配合物修饰电极对抗坏血酸的电催化性能研究 | |
| 作者姓名： | 曹亚飞 李曦 董玉林 冯武 熊燕 李小雨 刘信 刘鹏 |
| 作者单位： | 武汉理工大学理学院,武汉,430070 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中央高校基本科研业务费专项资金，武汉理工大学国家级大学生创新创业训练计划，武汉理工大学开放实验基金 |
| 摘 要： | 采用电沉积方法制备了[Cu(Sal-β-Ala)(3,5-DMPz)2]/GC电极。考察了修饰电极制备的最佳条件,同时研究了[Cu(Sal-β-Ala)(3,5-DMPz)2]/GC电极表面电荷传递过程特征以及对抗坏血酸的电催化行为。结果表明,在配合物浓度为0.3mmol/L时进行10圈循环伏安扫描制备的修饰电极对AA的催化效果最好。计时安培法研究显示,在AA浓度为0.01～0.35mmol/L的范围内,氧化电流与浓度之间存在良好的线性关系,灵敏度为55.20μA/(mmol.L-1),检出限为0.30μmol/L(S/N=3)。 |
| 关 键 词： | 席夫碱铜配合物 修饰电极 抗坏血酸 电催化 |
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