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| 多晶硅湿敏元件的研究 | |
| 作者姓名： | 李蓉萍赵新杰 季秉厚 |
| 作者单位： | 内蒙古大学 (李蓉萍,赵新杰),内蒙古大学(季秉厚) |
| 摘 要： | 用外延生长法,在具有二氧化硅层的单晶硅衬底上外延生长一层多晶硅,采用平面工艺在其上形成具有数千个矩形小孔的精密阵列,构成多晶硅阵列式湿敏元件.对元件的特性进行了研究,其吸湿响应时间为280ms,脱湿响应时间为620ms.在理论上,引入两种水分子与阵列作用机制,其一,水分子与多晶硅晶界的作用;其二,水分子与阵列结构的碰撞作用.由此计算了元件阻值随相对湿度变化的关系为R=R_0(1-Ax%)/(1+Dx%)将理论值与实验值进行比较, 两者吻合较好. |
| 关 键 词： | 外延生长多晶硅 阵列结构 湿敏元件 |
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