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| 新型全固源分子束外延技术及其在器件制作中的应用 | |
| 引用本文： | 郝智彪,卢京辉.新型全固源分子束外延技术及其在器件制作中的应用[J].电子产品世界,1999(3):68-70. |
| 作者姓名： | 郝智彪 卢京辉 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室 |
| 摘 要： | １．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用与发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能，对于新材料、新器件的开发，对于半导体科学的发展都有重要的意义。反过来，对器件质量和性能的进一步要求又推动人们探索更新、更好的外延技术。外延技术首先从硅外延技术发展起来，进而到化合物半导体外延。１９６２年、１９６３年，氯化物汽相外延法（ＶＰＥ）和液相外延法（ＬＰＥ）相继问世，用这些方法制备的材料广泛应用于制作各种微波及光电子器件… |
| 关 键 词： | 外延生长 分子束外延技术 半导体材料 |
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