TC-SAW SiO2温补层性能研究

为制备高性能的TC-SAW SiO₂ 温补层,分别采用电子束蒸发镀膜和反应磁控溅射制备 SiO₂ 薄膜,研究两种制备工艺对 SiO₂ 薄膜致密性、表面粗糙度及弹性模量的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X线衍射仪对 SiO₂ 薄膜的形貌和晶体结构进行分析。采用椭偏仪测试薄膜折射率及腐蚀后的膜厚变化量,并通过纳米压痕仪测量计算薄膜的硬度和弹性模量。结果表明,反应磁控溅射制备的 SiO₂ 薄膜更致密、薄膜表面粗糙度更小、弹性模量更大。采用反应磁控溅射制备的 SiO₂ 薄膜作为TC-SAW温补层,可以获得频率温度系数为-8.6×10^-6/℃的TC-SAW器件。