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| NEC开发出40纳米DRAM混载系统LSI制程新技术 | |
| 摘 要： | NEC电子日前完成开发两种线宽40nm的DRAM混载系统LSI制程技术，使用该制程可以生产最大可整合256Mb DRAM的系统LSI。此次NEC电子推出一种低功耗的UX8GD制程，可使逻辑部份的处理速度最快达800MHz； |
| 关 键 词： | 制程技术 DRAM LSI NEC 系统 混载 开发 纳米 |
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