| RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进 |
| |
| 引用本文： | 蔡描,郭兴龙,刘蕾,陈瑾瑾,赖宗声. RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进[J]. 传感器与微系统, 2006, 25(7): 40-42 |
| |
| 作者姓名： | 蔡描 郭兴龙 刘蕾 陈瑾瑾 赖宗声 |
| |
| 作者单位： | 华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062 |
| |
| 摘 要： | 通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法,使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高.在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点.测试结果表明:开关的下拉电压为28V,最低开关时间为0.8μs,开关寿命达7×105次,0～10GHz的插入损耗在0～0.5dB,隔离度为35～45dB.
|
| 关 键 词： | 射频微机械开关 聚酰亚胺 全刻蚀 半刻蚀 RF MEMS switch 开关时间 牺牲层工艺 改进 sacrificial layer process 隔离度 插入损耗 寿命 测试结果 加工流程 刻蚀 聚酰亚胺 可靠性提高 时间缩短 下拉电压 方法 接触点 面设计 桥背 形状 |
| 文章编号： | 1000-9787（2006）07-0040-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-15 |
| 修稿时间： | 2006-03-15 |
Improvement of RF MEMS switch in sacrificial layer process |
| |
| CAI Miao,GUO Xing-long,LIU Lei,CHEN Jin-jin,LAI Zong-sheng. Improvement of RF MEMS switch in sacrificial layer process[J]. Transducer and Microsystem Technology, 2006, 25(7): 40-42 |
| |
| Authors: | CAI Miao GUO Xing-long LIU Lei CHEN Jin-jin LAI Zong-sheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RF MEMS switch polyimide full etching partial etching |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
