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| 降低VCSELs激射阈值途径的理论研究 | |
| 引用本文： | 张晓霞,潘炜,等.降低VCSELs激射阈值途径的理论研究[J].光电子．激光,2002,13(12):1211-1214. |
| 作者姓名： | 张晓霞 潘炜 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学光电信息学院,光纤通信国家重点实验,四川,成都,610054 2. 西南交通大学计算机与通信工程学院,四川,成都,610031 3. 四川大学电子信息学院,四川,成都,610064 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (10 1740 5 7)，国防科技预研跨行业基金资助项目 (5 410 2 0 40 2 0 1DZ0 2 0 2 ) |
| 摘 要： | 针对量子阱有源层的结构特点，考虑增益和载流子浓度呈对数关系，建立量子陆垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程，导出了阈值电流密度的解析表达式，运用MATLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真，研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径；有源层选用量子阱实现微腔结构，腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R：改进外延生长技术在降低各种损耗。 |
| 关 键 词： | VCSELs 阈值电流密度 垂直腔面发射半导体激光器 有源区厚度 腔长 端面反射率 量子阱 |
| 文章编号： | 1005-0086(2002)12-1211-04 |
| 修稿时间： | 2002年2月14日 |
Study on Decreasing Threshold Current Density of VCSELs |
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| ZHANG Xiao xi,PAN Wei,LIU Yong zhi,CHEN Jian guo.Study on Decreasing Threshold Current Density of VCSELs[J].Journal of Optoelectronics·laser,2002,13(12):1211-1214. | |
| Authors: | ZHANG Xiao xi PAN Wei LIU Yong zhi CHEN Jian guo |
| Affiliation: | ZHANG Xiao xia 1,PAN Wei 2,LIU Yong zhi 1,CHEN Jian guo 3 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Threshold current density Thickness of the active layer Cavity length Surface reflectivity |
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