射频多阴极溅射制备Pb_xSn_(1-x)Te薄膜

优质的外延Pb_xSn_(1-x)Te膜最初是在锗基片上制得的。用射频多阴极系统同时或逐个以不同速率从三个靶进行溅射成膜。当基片低于普通蒸发技术所需温度时在NaCl和BaF_2基片上可获得Pb_xSn_(1-x)Te多晶膜。采用共溅射技术,控制金属或碲的过量可获得n型和p型Pb_xSn_(1-x)Te膜,其电性能接近最佳的单晶值。把Pb_xSn_(1-x)Te膜淀积在硅和锗基片上做成中红外探测器列阵,可以很容易与全集成热成象系统电子读出元件相结合。峰值D~＊用光导外延膜可达2.4×10~8厘米·赫~(1/2)瓦。多晶膜淀积在复盖有SiO_2膜的Ge片或Si片上显示出很高的响应率(480伏/瓦),D_λ~＊(8.5微米,800,1)在77°K和2π球面度视场角时大于10~9厘米·赫~(1/2)瓦。报导了线列阵探测器的噪音、响应率及探测度的测试。