IR推出首个温度传感HOSFET器件

国际整流器公司(International Rectifier)推出首个温度传感MOSFET器件。新器件的温度传感器及电压反馈功能可配合监控电路，在适当时间关掉整个IRLBD59N04E MOSFET器件，避免出现过流或过温现象，以保护应用电路。此外，器件中的两个背对背齐纳二极管有助于保护栅源极的路径，抵抗高达2000V的静电放电。