| UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究 |
| |
| 引用本文： | 王亚东,黄靖云,叶志镇,汪雷,马德群,赵炳辉.UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究[J].材料科学与工程学报,2001,19(2):33-35. |
| |
| 作者姓名： | 王亚东 黄靖云 叶志镇 汪雷 马德群 赵炳辉 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学微系统研究与开发中心, |
| |
| 摘 要： | 本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17～ 10 18cm-3 ,且过渡层分布陡峭
|
| 关 键 词： | 超高真空化学气相沉积 实时B掺杂 硅外延 |
| 文章编号： | 1004-793(2001)02-0033-03 |
| 修稿时间： | 2000年10月25日 |
The Investigation of Real Time B-doped Si Grown by UHV/CVD |
| |
| WANG Ya dong,HUANG Jing yun,YE Zhi zheng,WANG Lei,MA De qun,ZHAO Bing hui.The Investigation of Real Time B-doped Si Grown by UHV/CVD[J].Journal of Materials Science and Engineering,2001,19(2):33-35. |
| |
| Authors: | WANG Ya dong HUANG Jing yun YE Zhi zheng WANG Lei MA De qun ZHAO Bing hui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | UHV/CVD Real time B doped Si epilayer |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
