| 等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展 |
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| 引用本文： | 王巍,叶甜春,刘明,陈大鹏.等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展[J].半导体技术,2005,30(12):1-4. |
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| 作者姓名： | 王巍 叶甜春 刘明 陈大鹏 |
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| 作者单位： | 重庆邮电学院光电工程系,重庆,400065;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型.最后,讨论了APC技术的发展趋势.
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 先进过程控制 实时控制 流程与流程控制 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)12-0001-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-29 |
| 修稿时间： | 2005年9月29日 |
Progress of Advance Process Control Technique for Plasma Etching Process |
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| WANG wei,YE Tian-chun,LIU Ming,CHEN Da-peng.Progress of Advance Process Control Technique for Plasma Etching Process[J].Semiconductor Technology,2005,30(12):1-4. |
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| Authors: | WANG wei YE Tian-chun LIU Ming CHEN Da-peng |
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| Affiliation: | 1. College of Optoelectronics Engineering, CQUPT, Chongqing 400065, China; 2. Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | Advanced process control(APC) is multi-level control system that includes real-time equipment and process control as well as non-real-time run-to-run(RtR) control.The efficiency of plasma etcher will be greatly improved when APC technique incorporated into plasma control system.The application of real-time control and RtR control for plasma etching process control are discussesed.The linear regressive model and neural network model are also discussed.Finally,the developing trend of APC is prospected. |
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| Keywords: | plasma etching APC real-time control run-to-run control |
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