| 掺锰硅材料的电流振荡特性 |
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| 引用本文： | 陈朝阳,巴维真,张建,丛秀云,Bakhadyrkhanov M K,Zikrillaev N F.掺锰硅材料的电流振荡特性[J].半导体学报,2006,27(9):1582-1585. |
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| 作者姓名： | 陈朝阳 巴维真 张建 丛秀云 Bakhadyrkhanov M K Zikrillaev N F |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;乌兹别克斯坦国立技术大学,塔什干 700095 |
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| 基金项目： | 中国科学院"西部之光"人才培养计划
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新疆乌鲁木齐市科技攻关计划 |
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| 摘 要： | 用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性;在一定的电场下,电流振荡波形是固定的,不随时间变化;振荡频率随光照强度的增大而线性增大;调制系数随着光强的增强而减弱;振荡的最大值随着光照强度增大而减小,最小值随着光强增大而缓慢增大.
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| 关 键 词： | 硅 掺杂 补偿 电流振荡 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1582-04 |
| 收稿时间： | 02 24 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 05 29 2006 12:00AM |
Current Oscillation Properties of Manganese-Doped-Silicon Materials |
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| Chen Zhaoyang,Ba Weizhen,Zhang Jian,Cong Xiuyun,Bakhadyrkhanov M K and Zikrillaev N F.Current Oscillation Properties of Manganese-Doped-Silicon Materials[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9):1582-1585. |
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| Authors: | Chen Zhaoyang Ba Weizhen Zhang Jian Cong Xiuyun Bakhadyrkhanov M K and Zikrillaev N F |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon diffusion compensation current oscillation |
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