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单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率
引用本文:华文玉,陈存礼.单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率[J].半导体学报,1993,14(12):760-69.
作者姓名:华文玉  陈存礼
作者单位:华东工学院应用物理系,南京大学物理系 南京 210014,南京 210008
摘    要:本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。

关 键 词:金属-半导体  电阻率  多探针  测量
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