| 内透明集电极IGBT（ITC-IGBT）与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较 |
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| 引用本文： | 游雪兰,吴郁,胡冬青,贾云鹏,张彦飞,亢宝位.内透明集电极IGBT（ITC-IGBT）与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较[J].电子器件,2009,32(3):529-533. |
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| 作者姓名： | 游雪兰 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张彦飞 亢宝位 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助 |
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| 摘 要： | 首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径.
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| 关 键 词： | 内透明集电极 |
Performance Comparison of the Internally Transparent Collector IGBT (ITC-IGBT),PT-IGBT and FS-IGBT |
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| YOU Xuelan,WU Yu,HU Dongqing,JIA Yunpeng,ZHANG Yanfei,KANG Baowei.Performance Comparison of the Internally Transparent Collector IGBT (ITC-IGBT),PT-IGBT and FS-IGBT[J].Journal of Electron Devices,2009,32(3):529-533. |
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| Authors: | YOU Xuelan WU Yu HU Dongqing JIA Yunpeng ZHANG Yanfei KANG Baowei |
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| Affiliation: | Department of Electronic Science & Technology;Beijing University of Technology;Beijing 100124;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITC-IGBT PT-IGBT FS-IGBT |
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