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| Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究 | |
| 作者姓名： | 于军 周文利 赵建洪 谢基凡 黄歆 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
| 摘 要： | 采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能． |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 场效应晶体管 FET |
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