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| 压变应In0.63Ga0.37As／InP单量子阱的变温光致发光研究 | |
| 作者姓名： | 王晓亮 孙殿照 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 我们对用ＧＳＭＢＥ技术生长的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究，Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ阱宽为１ｎｍ到１１ｎｍ，温度变化范围为１０Ｋ到３００Ｋ，发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料相似，温度系数与阱宽无关，对１ｎｍ的阱，我们观察到其光致发光谱峰为双峰，经分析表明，双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单 |
| 关 键 词： | 单量子阱 变温光致发光 半导体 材料 GSMBE技术 |
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