银基钎料活性钎焊C/SiC-Ti55与Al2O3-Ti55接头界面组织 |
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引用本文: | 沈元勋,李正林,郝传勇,张劲松,龙伟民.银基钎料活性钎焊C/SiC-Ti55与Al2O3-Ti55接头界面组织[J].焊接学报,2017,38(9):75-78. |
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作者姓名: | 沈元勋 李正林 郝传勇 张劲松 龙伟民 |
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作者单位: | 1. 郑州机械研究所新型钎焊材料与技术国家重点试验室,郑州,450001;2. 中国科学院金属研究所沈阳先进材料研究发展中心,沈阳,110016 |
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基金项目: | "国家国际科技合作计划项目",高档数控机床与基础制造装备科技重大专项课题 |
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摘 要: | 以Ag-28Cu和Ag-9Pd-9Ga两种银基钎料钎焊C/SiC复合材料和Al2O3陶瓷与Ti55钛合金接头,考察了钎料和钎焊工艺对接头焊缝组织形貌变化影响. 结果表明,采用Ag-28Cu钎料在850~920 ℃温度区间钎焊C/SiC-Ti55和Al2O3-Ti55接头均在陶瓷基体近钎焊界面区域开裂,原因为Ti55合金中Ti元素大量溶解扩散并与铜反应生成的大量脆性Cu-Ti化合物恶化焊缝塑性. Ag-9Pd-9Ga钎料则可以获得完整接头,钎焊过程中Pd,Ga元素在Ti55侧钎焊界面富集并与Ti元素反应生成PdTi, Ti2Ga, Ti4Pd化合物的反应层,有效抑制了元素往焊缝中的溶解扩散.
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关 键 词: | C/SiC复合材料 Al2O3陶瓷 钛合金 界面组织 扩散 |
收稿时间: | 2015/11/24 0:00:00 |
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