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| 由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器 | |
| 引用本文： | 康学军,林世鸣,高俊华,高洪海,王启明,王红杰,王立轩,张春晖.由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器[J].半导体学报,1996,17(11):873-876. |
| 作者姓名： | 康学军 林世鸣 高俊华 高洪海 王启明 王红杰 王立轩 张春晖 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。 |
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