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高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
引用本文:杨新民 李同宁. 高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器[J]. 光通信研究, 1999, 0(6): 44-46,59
作者姓名:杨新民 李同宁
作者单位:武汉邮电科学研究院!湖北武汉430074
摘    要:采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同1.31μmAlGaInAs/InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时,管芯最大输出功率超过50mW,阈值电流范围在13-20mA之间,发光面斜效率高于0.45mW/mA,边模抑制比超过35dB,室温中值寿命大于3*10^5小时。

关 键 词:AlGaInAs 应变多量子阱 DFB激光器

High power 1.31 um AlGaInAs strain multiquantum well DFB laser
YANG Xin-min, LI Tong-ning, LIU Tao, ZHOU Ning, JIN Jin-yan, Li Xiao-liang. High power 1.31 um AlGaInAs strain multiquantum well DFB laser[J]. Study on Optical Communications, 1999, 0(6): 44-46,59
Authors:YANG Xin-min   LI Tong-ning   LIU Tao   ZHOU Ning   JIN Jin-yan   Li Xiao-liang
Abstract:
Keywords:AlGaInAs  strain multiquantum well  high power
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