| 一种快速瞬态响应的无片外电容LDO |
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| 引用本文： | 孙建伟,刘自成,陈志铭.一种快速瞬态响应的无片外电容LDO[J].微电子学,2016,46(3):340-343. |
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| 作者姓名： | 孙建伟 刘自成 陈志铭 |
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| 作者单位： | 北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61201040；61301006)；高等学校学科创新“引智计划”资助项目(B14010) |
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| 摘 要： | 设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流。缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度。采用SMIC 180 nm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,当输入电压为1.4~5 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA; 负载电流在1 mA和300 mA间变化时,最大过冲电压为76.5 mV,响应时间仅为1.5 μs。
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| 关 键 词： | 摆率增强 缓冲级 快速瞬态响应 无片外电容 线性稳压器 |
A Capacitor-Less LDO with Fast Transient Response |
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| SUN Jianwei,LIU Zicheng and CHEN Zhiming.A Capacitor-Less LDO with Fast Transient Response[J].Microelectronics,2016,46(3):340-343. |
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| Authors: | SUN Jianwei LIU Zicheng and CHEN Zhiming |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China,Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China and Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Slow rate enhancement Buffer stage Fast transient response Capacitor-less Linear regulator |
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