| 低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源 |
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| 作者姓名： | 邓玉斌 曾以成 陈星燕 张东亮 |
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| 作者单位： | 湘潭大学微电子科学与工程系, 湖南 湘潭 411105,湘潭大学微电子科学与工程系, 湖南 湘潭 411105,湘潭大学微电子科学与工程系, 湖南 湘潭 411105,湘潭大学微电子科学与工程系, 湖南 湘潭 411105 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61471310) |
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| 摘 要： | 设计了一种低温漂系数的共源共栅CMOS带隙基准源,采用自偏置共源共栅结构,提高了电路的电源抑制比,降低了电路的工作电源电压。采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流的电路结构,在低温段抽取一个正温度系数电流,在高温段再注入一个较小值的正温度系数电流,达到降低温漂系数的目的。在0.5 μm CMOS工艺下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,温度特性得到了较大改善,在-35℃～125℃温度范围内,带隙基准源的温漂系数为1.5 ×10-6 /℃,电源抑制比为65 dB。
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 共源共栅 低温漂系数 电流抽取 |
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