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| GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析 | |
| 作者姓名： | 涂洁磊 王亮兴 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 |
| 作者单位： | 上海空间电源研究所,上海 200233;云南师范大学太阳能研究所,昆明 650092;上海空间电源研究所,上海 200233;上海空间电源研究所,上海 200233;上海空间电源研究所,上海 200233;上海空间电源研究所,上海 200233;上海空间电源研究所,上海 200233 |
| 摘 要： | 分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因：GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析. 此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95% (AM0,25℃, 2cm×4cm）的GaAs/Ge太阳电池. |
| 关 键 词： | GaAs/Ge太阳电池 I-V特性曲线 计算机模拟 界面扩散 |