首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

“CVI+压力PIP”混合工艺制备低成本 C/SiC复合材料
引用本文:闫联生,李贺军,崔红,王涛.“CVI+压力PIP”混合工艺制备低成本 C/SiC复合材料[J].无机材料学报,2006,21(3):664-670.
作者姓名:闫联生  李贺军  崔红  王涛
作者单位:1. 西北工业大学材料学院,西安,710072
2. 西安航天复合材料研究所,西安,710025
基金项目:中国科学院资助项目;国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:以低成本填料改性有机硅浸渍剂作为先驱体,采用"化学气相渗透法+压力先驱体浸渍裂解法"(CVI+P-PIP)混合工艺制备了低成本C/SiC陶瓷复合材料.研究了浸渍剂裂解机理,探讨了界面涂层对复合材料性能的影响.结果表明,填料改性有机硅浸渍剂裂解产物结构致密、陶瓷产率高;压力可提高填料改性有机硅浸渍剂的致密效率.混合工艺充分利用沉积SiC基体和裂解SiC基体的致密化特点,有效缩短了制备周期.C/SiC/C三层界面不仅可降低纤维/基体之间结合强度界面,提高了复合材料韧性;而且减缓了氧化性气体扩散到碳纤维表面的速度,改善了复合材料的抗氧化性能.复合材料的抗弯强度达到455MPa,断裂韧性达到15.7MPa·m-1/2.在1300℃空气中氧化3h,复合材料失重仅8.5%.

关 键 词:C/SiC复合材料  低成本  "CVI  压力PIP"混合工艺
文章编号:1000-324X(2006)03-0664-07
收稿时间:05 13 2005 12:00AM
修稿时间:2005-05-132005-07-11

Low-cost C/SiC Composites Prepared by CVI+Pressure-PIP Hybrid Process
YAN Lian-Sheng,LI He-Jun,CUI Hong,WANG Tao.Low-cost C/SiC Composites Prepared by CVI+Pressure-PIP Hybrid Process[J].Journal of Inorganic Materials,2006,21(3):664-670.
Authors:YAN Lian-Sheng  LI He-Jun  CUI Hong  WANG Tao
Affiliation:1.MaterialDepartment,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xi'an710072,China;2.Xi'anAerospaceCompositeMaterialInstitute,Xi'an710025,China
Abstract:
Keywords:C/SiC composites  low cost  " CVI+PIP " combined process
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《无机材料学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号