| 一种SiGe BiCMOS 3级级联60 GHz LNA |
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| 作者姓名： | 王巍 胡凤 鲍孝圆 黄孟佳 杨皓 杨正琳 袁军 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065,重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065,重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065,重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065,重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065,重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065,重庆邮电大学 光电工程学院/重庆国际半导体学院, 重庆 400065 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61404019) |
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| 摘 要： | 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60 GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响。在3.3 V供电电压下,60 GHz频率处的功率增益S21达到21.8 dB,噪声系数NF为6.1 dB;在58~65 GHz频段内,输入和输出反射系数S11和S22均小于－10 dB。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声系数 60 GHz |
| 收稿时间： | 2016-03-29 |
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