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| 超晶格（GeXSi1—x）1／（Si）m（001）的电子能带结构 | |
| 引用本文： | 徐至中,袁震宇.超晶格（GeXSi1—x）1／（Si）m（001）的电子能带结构[J].固体电子学研究与进展,1994,14(1):1-5. |
| 作者姓名： | 徐至中 袁震宇 |
| 摘 要： | 采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在ｘ＝０．０１～０．１范围内随ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在Ｘ＝０．０１～０．１范围内，Ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（０ |
| 关 键 词： | 布里渊区折叠 超晶格 能带结构 |
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