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| TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理 | |
| 引用本文： | 赖建文,潘鸿芳.TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理[J].半导体技术,1987(2). |
| 作者姓名： | 赖建文 潘鸿芳 |
| 作者单位： | 中国科学院 (赖建文)，上海冶金研究所(潘鸿芳) |
| 摘 要： | 本文叙述Ti_XW_(1-X)合金薄膜的制备方法以及不同的TiW组份对Ti_XW_(1-X)/Si势垒高度的影响.结果表明:当TiW组分不同时,TiW/Si接触的势垒高度会在一定的范围内(0.54eV～0.66eV)变化.由于TiW/Si的势垒高度较低,所以在电路中采用TiW/Si SBD则有利于SBD面积的缩小. |
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