β-Ga2O3/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究 |
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引用本文: | 张杰,邓金祥,徐智洋,孔乐,段苹,王晓蕾,孟军华,李瑞东,张晓霞,孙旭鹏,杨子淑.β-Ga2O3/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究[J].真空,2022(1). |
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作者姓名: | 张杰 邓金祥 徐智洋 孔乐 段苹 王晓蕾 孟军华 李瑞东 张晓霞 孙旭鹏 杨子淑 |
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作者单位: | 北京工业大学理学部 |
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基金项目: | 北京市自然科学基金(No.4192016)。 |
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摘 要: | 氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga2O3/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的“陷光”特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga2O3/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98。通过计算logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga2O3薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性。
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关 键 词: | 氧化镓 硅纳米线阵列 异质结 光学性质 电学性质 |
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