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| 硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制 | |
| 引用本文： | 王喜娜,梅增霞,王勇,杜小龙,张晓娜,贾金锋,薛其坤,张泽.硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制[J].电子显微学报,2007,26(6):570-575. |
| 作者姓名： | 王喜娜 梅增霞 王勇 杜小龙 张晓娜 贾金锋 薛其坤 张泽 |
| 作者单位： | 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080 2. 北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100022 3. 清华大学物理系,北京,100084 4. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;清华大学物理系,北京,100084 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 中国科学院知识创新工程项目 |
| 摘 要： | 本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺.发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板.在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变.上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板. |
| 关 键 词： | ZnO/Si界面 低温界面控制 MgO缓冲层 透射电镜 反射式高能电子衍射 |
| 文章编号： | 1000-6281（2007）06-0570-06 |
| 收稿时间： | 2007-05-13 |
| 修稿时间： | 2007-06-01 |
Interface control for epitaxial growth of high-quality ZnO(0001) film on Si(111) substrate |
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| WANG Xi-na,MEI Zeng-xia,WANG Yong,DU Xiao-long,ZHANG Xiao-na,JIA Jin-feng,XUE Qi-kun,ZHANG Ze.Interface control for epitaxial growth of high-quality ZnO(0001) film on Si(111) substrate[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2007,26(6):570-575. | |
| Authors: | WANG Xi-na MEI Zeng-xia WANG Yong DU Xiao-long ZHANG Xiao-na JIA Jin-feng XUE Qi-kun ZHANG Ze |
| Abstract: | |
| Keywords: | ZnO/Si interface low- temperature interface control MgO buffer layer TEM RHEED |
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