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| 高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响 | |
| 作者姓名： | 康香宁 宋国峰 叶晓军 侯识华 陈良惠 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083 (康香宁,宋国峰,叶晓军,侯识华),中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083(陈良惠) |
| 摘 要： | 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备 ,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Alx Ga1 - x As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响 ,结合器件结构设计确定了氧化限制层 Alx Ga1 - x-As的铝组分和最佳位置 ,并制备出了低阈值电流的 Al Ga In P系垂直腔面发射激光器 |
| 关 键 词： | AlxGa1-xAs湿氮选择氧化 微区光致发光谱 垂直腔面发射激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0589-05 |
| 修稿时间： | 2003-05-13 |
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