| InGaAs量子点激光器光增益的温度特性 |
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| 作者姓名： | 宁永强 高欣等 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021
2. 长春光学精密机械学院,高功能半导体激光国防重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号 699760 3 2,199740 47)资助项目,吉林省科委基金资助项目~~ |
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| 摘 要： | 研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比,发现In-GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性,同时发现随着温度升高,在140－200K湿度范围内,InGaAs量子点增益峰值首先增大,当温度超过200K后开始减小,对这种增益特性的产生机制进行了分析,增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动,与量子阱材料相比具有更好的温度稳定性。
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| 关 键 词： | InGaAs 激光器 量子点 光增益 温度特性 半导体材料 砷镓铟化合物 |
| 收稿时间： | 2001-11-17 |
| 修稿时间： | 2001-11-17 |
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