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| 应力条件下GaN电子结构及光学性质研究 | |
| 引用本文： | 阮兴祥,张富春,张威虎.应力条件下GaN电子结构及光学性质研究[J].激光与光电子学进展,2014,51(9):91604. |
| 作者姓名： | 阮兴祥 张富春 张威虎 |
| 作者单位： | 阮兴祥:延安大学物理与电子信息学院， 陕西 延安 716000 张富春:延安大学物理与电子信息学院， 陕西 延安 716000 张威虎:延安大学物理与电子信息学院， 陕西 延安 716000 |
| 基金项目： | 陕西省教育厅专项科研基金(2013JK0917)、延安市工业攻关（2013-KG03）、榆林市产学研项目、延安大学博士科研启动基金(YD2010-01) |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法,系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质,对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。计算结果表明:随着外应力的逐渐增加,Ga—N的键长逐渐变小,布局数逐渐增加,共价性明显增强,离子性减弱。电子结构计算结果显示导带向高能方向漂移,而整个价带向低能方向漂移,禁带带宽明显被展宽,Ga原子的3d态电子与N原子的2p态电子的杂化程度增强。光学性质计算结果揭示了在没有应力的作用下,在1.6 eV附近开始出现吸收边。随着外应力的逐渐增大,GaN的复介电函数和吸收谱向高能方向漂移,光谱发生了明显的蓝移现象,进而提高了光电转换效率。 |
| 关 键 词： | 光电子学 GaN 第一性原理 光学性质 应力 |
| 收稿时间： | 2014/3/26 |
Study on Electronic Structure and Optical Properties of GaN under Pressure |
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| Abstract: | |
| Keywords: | optoelectronics GaN first-principles optical properties pressure |
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