| 低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷 |
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| 引用本文： | 黄雯雯,凌志远,欧瑞江,何新华,张庆秋.低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷[J].电子元件与材料,2003,22(6):14-16. |
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| 作者姓名： | 黄雯雯 凌志远 欧瑞江 何新华 张庆秋 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子材料科学与工程系,广东,广州,510640 |
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| 基金项目： | 广东省科技厅资助(合同号为A1060302) |
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| 摘 要： | 对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究。实验结果表明:添加质量分数为5%~10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,r = 58~76,tg? 3.3?04,= (329~472)?06/℃,? 1012 cm。利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现:材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3 玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则。
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| 关 键 词： | 高频介质陶瓷 玻璃 低温烧结 介电性能 |
Low Temperature Sintered Dielectric Ceramics of 0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 for High Frequency Application |
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| HUANG Wen-wen,LING Zhi-yuan,OU Rui-jiang,HE Xin-hua,ZHANG Qing-qiu.Low Temperature Sintered Dielectric Ceramics of 0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 for High Frequency Application[J].Electronic Components & Materials,2003,22(6):14-16. |
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| Authors: | HUANG Wen-wen LING Zhi-yuan OU Rui-jiang HE Xin-hua ZHANG Qing-qiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high frequency dielectric ceramics glass low temperature sintering dielectric properties |
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