| 高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计 |
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| 引用本文： | 徐正文, 曲轶, 王钰智, 高婷, 王鑫. 高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(4): 1094-1098. |
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| 作者姓名： | 徐正文 曲轶 王钰智 高婷 王鑫 |
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| 作者单位： | 1.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 |
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| 基金项目： | 吉林省科技发展计划(20111810) |
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| 摘 要： | 设计了980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差,非对称宽波导结构具有更低的阈值电流,更高的斜效率以及更低的阻抗,所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。
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| 关 键 词： | 非对称宽波导 激光器 高功率 电流阻挡层 |
| 收稿时间： | 2013-08-21 |
| 修稿时间： | 2013-09-25 |
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