| 金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征 |
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| 引用本文： | 陈荔群,蔡志猛,严光明.金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征[J].光电子．激光,2017,28(5):482-486. |
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| 作者姓名： | 陈荔群 蔡志猛 严光明 |
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| 作者单位： | 集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021;厦门华厦学院,福建 厦门 361000;厦门大学 物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005 |
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| 基金项目： | 福建省中青年教师教育科研(JA15654)资助项目 (1.集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021； 2.厦门华厦学院,福建 厦门 361000； 3. 厦门大学 物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005) |
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| 摘 要： | 基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接 触电阻率和电流-电压(I-V)特性曲线,分析 对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性。实验结果发现,由于金 属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实 现低的比接触电阻率；而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×1018 cm－3时,并且经过退火,比接 触电阻率能达到4.0×10－7 Ω·cm2；Al与n型Ge和n型Si接 触电极相比,后者可形成良好的 欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n+Si接触 电阻率能达到5.21×10－5 Ω·cm2,达到了制作高性能Ge 光电器件的要求。
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| 关 键 词： | 金属与Ge接触 欧姆接触 比接触电阻率 |
| 收稿时间： | 2016/8/7 0:00:00 |
Fabrication and characteristics of Al/Ge ohmic contact |
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| CHEN Li-qun,CAI Zhi-meng and YAN Guang-ming.Fabrication and characteristics of Al/Ge ohmic contact[J].Journal of Optoelectronics·laser,2017,28(5):482-486. |
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| Authors: | CHEN Li-qun CAI Zhi-meng and YAN Guang-ming |
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| Affiliation: | Chengyi College,Jimei University,Xiamen 361021,China;Xiamen Huaxia University,Xiamen 361000,China;Department of Physics,Xiamen Unive rsity,Xiamen 361005,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | meltal/Ge contact ohmic contact specific contact resistance |
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