| Gd掺杂PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性研究 |
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| 引用本文： | 孙秋,王福平,姜兆华. Gd掺杂PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(Z2): 841-844 |
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| 作者姓名： | 孙秋 王福平 姜兆华 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶技术制备稀土Gd掺杂的PZT(PGZT)前驱体溶胶.以(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底,采用旋涂法和快速热处理技术制备PGZT薄膜.X射线衍射(XRD)分析结果表明,450℃预烧,650℃快速热处理得到(100)择优取向的薄膜.用扫描电镜(SEM)对稀土Gd不同掺入量薄膜的表面形貌进行分析,薄膜的表面平整,无裂纹;用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的粗糙度进行分析.PGZT薄膜铁电性能测试结果表明,1%(摩尔分数,下同)Gd-PZT薄膜的剩余极化强度(2Pr)为46.373μC/cm2,经1010次极化循环后,剩余极化值减小45%;当Gd掺入量大于1%时,薄膜的剩余极化强度减小.对稀土Gd3+掺杂改性机理进行初步分析,可能是由于稀土掺入量小于1%时,稀土起施主掺杂剂作用,而施主掺杂可以明显改善PZT的疲劳特性;当稀土掺入量大于1%时,稀土起受主掺杂剂作用.
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| 关 键 词： | 稀土掺杂 PZT薄膜 溶胶-凝胶 微观结构 铁电性能 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)S1-0841-04 |
| 修稿时间： | 2004-12-28 |
Study on Microstructure and Ferroelectric Properties of Gd Doped PZT Thin Films |
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| Sun Qiu,Wang Fuping,Jiang Zhaohua. Study on Microstructure and Ferroelectric Properties of Gd Doped PZT Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(Z2): 841-844 |
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| Authors: | Sun Qiu Wang Fuping Jiang Zhaohua |
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