| 高功率MPCVD中氧气对金刚石膜生长的影响研究 |
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| 引用本文： | 周程, 汪建华, 翁俊, 等. 高功率MPCVD中氧气对金刚石膜生长的影响研究[J]. 真空与低温, 2017, 23(6): 336-340. DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2017.06.005 |
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| 作者姓名： | 周程 汪建华 翁俊 刘繁 孙祁 熊刚 白傲 梁天 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅科学技术研究计划优秀中青年人才项目（Q20151517）、武汉工程大学教育创新基金（No.CX2016021） |
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| 摘 要： | 采用自制10 kW微波等离子体装置,在CH4/H2气源中添加不同浓度O2,探讨了O2对金刚石薄膜生长的影响。利用扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及X射线衍射仪对金刚石薄膜的表面形貌、结晶质量以及晶粒取向进行了表征。结果表明,O2浓度在0～0.9%范围内,所制备的金刚石薄膜品质随着O2浓度的提升逐渐升高,当O2浓度达到0.9%时,所制备的金刚石薄膜品质最好,其杂质含量低,金刚石半高宽值达到6.2 cm-1,且金刚石晶粒基本表现为（111）面生长,具有较高晶面取向。但当O2浓度超过到1.0%后,金刚石的生长会遭到破坏。
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| 关 键 词： | 高功率MPCVD O2 金刚石薄膜 |
| 收稿时间： | 2017-08-25 |
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