液相法制备GaN单晶体研究进展 |
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引用本文: | 齐成军,王再思,贾振宇.液相法制备GaN单晶体研究进展[J].半导体技术,2014(3):161-167. |
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作者姓名: | 齐成军 王再思 贾振宇 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所; |
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摘 要: | 回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法可以生产出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN晶体,重点介绍了Na助溶剂法的生长设备及最新研究成果,目前该方法已经可以生长直径超过2 cm、高度约为1.2 cm的无位错块体GaN晶体。对液相法生长GaN晶体的应用前景进行了预测,认为液相法制备的高质量GaN晶体作为大功率、高可靠性GaN电子器件理想衬底,会发挥越来越重要的作用。
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关 键 词: | GaN单晶 液相法 高压溶液法 Na助溶剂法 氨热法 |
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