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InGaAs红外探测器低频噪声研究
引用本文:黄杨程,梁晋穗,张永刚,刘大福,庄春泉,李萍,龚海梅.InGaAs红外探测器低频噪声研究[J].功能材料,2004,35(Z1):3397-3399.
作者姓名:黄杨程  梁晋穗  张永刚  刘大福  庄春泉  李萍  龚海梅
作者单位:1. 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
2. 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统所,上海,200050
摘    要:红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5~7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关 键 词:红外探测器  低频噪声  空间遥感
文章编号:1001-9731(2004)增刊-3397-03
修稿时间:2004年2月11日

Study on low frequency noise of InGaAs infrared detectors
HUANG Yang-cheng,LIANG Jin-sui,ZHANG Yong-gang,LIU Da-fu,ZHUANG Chun-quan,LI Ping,GONG Hai-mei.Study on low frequency noise of InGaAs infrared detectors[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3397-3399.
Authors:HUANG Yang-cheng  LIANG Jin-sui  ZHANG Yong-gang  LIU Da-fu  ZHUANG Chun-quan  LI Ping  GONG Hai-mei
Abstract:
Keywords:
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