| 基于SOI的抗辐射加固FPGA芯片 |
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| 作者姓名： | 韩小炜 吴利华 赵岩 李艳 张倩莉 陈亮 张国权 李建忠 杨波 高见头 王剑 李明 刘贵宅 张峰 郭旭峰 陈陵都 刘忠立 于芳 赵凯 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 介绍抗辐射VS1000 FPGA芯片架构及其设计实现。改进的基于3输入查找表的多模式逻辑单元,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约12%的逻辑利用率。逻辑模块由两个逻辑单元组成,可以被配置成两种工作模式：LUT模式和分布式RAM模式。新颖的层次化布线通道模块和开关模块可以极大的提高布线资源的布通率。VS1000芯片包括392个可编程逻辑单元,112个用户IO以及与IEEE 1149.1兼容的边界扫描逻辑,采用0.5 um部分耗尽绝缘体上硅CMOS工艺全定制设计并流片。功能测试结果表明, 芯片软硬件能够成功配合且实现用户特定功能。抗辐照实验结果表明,抗总剂量水平超过100Krad(Si), 抗瞬态剂量率水平超过1.51011rad(Si)/s,抗中子注入量水平达到11014 n/cm2。
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| 关 键 词： | 辐射加固 FPGA 部分耗尽绝缘体上硅 可编程逻辑单元 布线通道模块 开关模块 |
| 收稿时间： | 2011-01-27 |
| 修稿时间： | 2011-02-25 |
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