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在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法
引用本文:宋张勇,杨治虎,阮芳芳,张宏强,邵健雄,崔莹,谢江山,高志民,GAO Zhi-min,邵曹杰,卢荣春,蔡晓红.在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法[J].核电子学与探测技术,2007,27(5):1000-1004.
作者姓名:宋张勇  杨治虎  阮芳芳  张宏强  邵健雄  崔莹  谢江山  高志民  GAO Zhi-min  邵曹杰  卢荣春  蔡晓红
作者单位:1. 中国科学院近代物理所,兰州 730000;中国科学院研究生院,北京 100039
2. 中国科学院近代物理所,兰州,730000
3. 兰州大学现代物理系,兰州,730000
摘    要:在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象.猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析.由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果.

关 键 词:Si(Au)面垒半导体探测器  入射窗  峰道址.
文章编号:0258-0934(2007)05-1000-05
收稿时间:2006-03-12
修稿时间:2006年3月12日

A problem finding in calibration of Si(Au) surface-barrier semiconductor detector and a simple resolved method
SONG Zhang-yong,YANG Zhi-hu,TAN ji-Lian,RUAN Fang-fang,ZHANG Hong-qiang,SHAO Jian-xiong,CUI Ying,XIE Jiang-shan,GAO Zhi-min,SHAO Cao-jie,LU Rong-chun,CAI Xiao-hong.A problem finding in calibration of Si(Au) surface-barrier semiconductor detector and a simple resolved method[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2007,27(5):1000-1004.
Authors:SONG Zhang-yong  YANG Zhi-hu  TAN ji-Lian  RUAN Fang-fang  ZHANG Hong-qiang  SHAO Jian-xiong  CUI Ying  XIE Jiang-shan  GAO Zhi-min  SHAO Cao-jie  LU Rong-chun  CAI Xiao-hong
Abstract:
Keywords:
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