| GaN基LED与Si键合技术的研究 |
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| 引用本文： | 阮育娇.GaN基LED与Si键合技术的研究[J].上海电力学院学报,2010(8). |
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| 作者姓名： | 阮育娇 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系半导体光子学研究中心; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点基金资助项目(60837001); 福建省自然科学基金资助项目(2008J0221); 福建省教育厅科技项目(JB08215) |
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| 摘 要： | 采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。
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| 关 键 词： | 晶片键合 金属过渡层 激光剥离 GaN基LED |
GaN LED/metals/Si structure fabricated by bonding and laser-lift off |
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| RUAN Yu-jiao.GaN LED/metals/Si structure fabricated by bonding and laser-lift off[J].Journal of Shanghai University of Electric Power,2010(8). |
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| Authors: | RUAN Yu-jiao |
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| Affiliation: | Department of Physics,Semiconductor photonics research center,Xiamen University,Xiamen 361005,China, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wafer bonding intermediate metals laser lift-off GaN-based LED |
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