| 基于硬磁薄膜材料的GMI传感器偏置磁场分布模拟 |
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| 引用本文： | 黎俊乔,晋芳,周玲,彭景.基于硬磁薄膜材料的GMI传感器偏置磁场分布模拟[J].磁性材料及器件,2014(4). |
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| 作者姓名： | 黎俊乔 晋芳 周玲 彭景 |
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| 作者单位： | 中国地质大学机械与电子信息学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(41004079);教育部科技项目博士点基金资助项目(20100145120007);中国地质大学(武汉)中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CUG120107) |
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| 摘 要： | 由于GMI效应对磁场的对称性特点,在传感器设计中,通常采用引入偏置磁场的方法来提高GMI传感器的灵敏度。而采用硬磁薄膜材料作为GMI传感器的偏置磁场源,可在提供80~160A/m的偏置磁场的前提下,实现GMI传感器的低功耗和微型化。运用COMSOL软件对薄膜材料的空间磁场分布进行了模拟,研究了薄膜材料特性及其尺寸对空间磁场分布的影响,并对影响有限元分析结果可靠性的因素进行了探讨。研究结果表明,硬磁薄膜材料的剩余磁化强度为0.3~0.7 MA/m、长度为5~7mm、厚度为7~13μm时可以为GMI传感器敏感元件提供符合要求的偏置磁场源。
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| 关 键 词： | GMI传感器 硬磁薄膜 偏置磁场 仿真 |
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