电子材料简

日本低阻值n-AIGaN，电光转换效率提升15％日本名城大学和名古屋火学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝镓（n—AIGaN）。通过将n—A1GaN作为紫外LED的一部分，研究人员成功将电光转换效率（wall-plugefficiency）提升了15％左右。这种低阻值的n—A1GaN采用MOVPE在蓝宝石上制作，外延生长先采用低温缓冲层，然后是3um的随机掺杂GaN层。甲硅烷作为氮化铝镓低阻值层的硅掺杂源。