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| 第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展 | |
| 引用本文： | 王丽,王翠梅.第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展[J].新材料产业,2014(3):13-17. |
| 作者姓名： | 王丽 王翠梅 |
| 作者单位： | [1]总装科技信息研究中心 [2]中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | <正>微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件,主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能,是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。20世纪90年代,基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)的高频、大功率微波器件 |
| 关 键 词： | 微波功率器件 宽禁带半导体材料 相控阵雷达 微波器件 功率放大器 器件研究 半导体器件 大功率 氮化镓 通讯基站 |
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