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| 浅施主杂质态在n－Hg_（1－x）Cd_xTe磁致金属－绝缘体相变中的作用 | |
| 作者姓名： | 郑国珍 韦亚一 郭少令 汤定元 |
| 作者单位： | 中国科学院红外物理国家实验室 |
| 摘 要： | 在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数．观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹＂ＨａｌｌｄｉＰ＂．基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和＂Ｈａｌｌｄｉｐ＂的起因． |
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