| 硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响 |
| |
| 引用本文： | 朱锋,张晓丹,赵颖,魏长春,孙建,耿新华.硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响[J].半导体学报,2004,25(12):1624-1627. |
| |
| 作者姓名： | 朱锋 张晓丹 赵颖 魏长春 孙建 耿新华 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
,
教育部科学技术研究项目 |
| |
| 摘 要： | 利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5～1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH*和H*α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%～4%时,等离子体中H*α/SiH*的比值处于0.6～0.9,可以得到晶化率在40%～55%的微晶硅材料.
|
| 关 键 词： | VHF-PECVD 微晶硅 光发射谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)12-1624-04 |
| 修稿时间： | 2003年11月3日 |
Effect of Silane Concentration on Intrinsic Microcrystalline Silicon |
| |
| Zhu Feng,Zhang Xiaodan,Zhao Ying,Wei Changchun,Sun Jian and Geng Xinhua.Effect of Silane Concentration on Intrinsic Microcrystalline Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1624-1627. |
| |
| Authors: | Zhu Feng Zhang Xiaodan Zhao Ying Wei Changchun Sun Jian and Geng Xinhua |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | VHF-PECVD microcrystalline silicon optical emission spectroscopy |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
