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| 一种适用于改进P/E循环性能NAND闪存设计方法 | |
| 作者姓名： | 何勇翔 朱家骅 |
| 摘 要： | 随着NAND闪存工艺尺寸的缩小,为了确保闪存阈值电压分布在相对狭窄的区间,通常使用ISPP/ISPE(步进式编写操作/步进式擦除操作)对闪存操作.但是随着P/E循环的增加,相应的操作时间也随之改变,会极大的影响闪存的性能.因此本设计对传统ISPP/ISPE进行改良,通过使用额外的寄存器,针对P/E循环次数的不同阶段,调... |
| 关 键 词： | 步进式编写操作/步进式擦除操作 NAND闪存 寄存器 偏置条件 擦写循环 |