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分类号
杂志ISSN号
紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析
作者姓名:
陈少武
作者单位:
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
摘 要:
本文采用电磁波标量衍射理论研究了紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模的近场衍射特性,并据此得出了零级衍射抑制的条件,2数值模拟方法研究了相位掩模制作误差对有衍射抑制的影响,分析表明,为使零级衍射效率小于5%,相位掩模的刻槽深度和占空比制作误差必须控制在/△h/〈38nm和/△f/〈0.11的范围内。
关 键 词:
相位掩模 光纤光栅 零级抑制
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