| 大功率670nm半导体激光器的研制 |
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| 引用本文： | 林涛,江李,王俊,谭满清,刘素平,韦欣,王国宏,马骁宇.大功率670nm半导体激光器的研制[J].半导体学报,2005,26(z1):176-179. |
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| 作者姓名： | 林涛 江李 王俊 谭满清 刘素平 韦欣 王国宏 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.
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| 关 键 词： | 670nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积 腔面光灾变 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0176-04 |
| 修稿时间： | 2004年10月11日 |
Fabrication of High Power 670nm Laser Diodes |
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| Lin Tao,Jiang Li,Wang Jun,Tan Manqing,Liu Suping,Wei Xin,Wang Guohong,Ma Xiaoyu.Fabrication of High Power 670nm Laser Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):176-179. |
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| Authors: | Lin Tao Jiang Li Wang Jun Tan Manqing Liu Suping Wei Xin Wang Guohong Ma Xiaoyu |
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